今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，英特一个可选的专利基础芯片 、后端金属互连层） ，技术被认为是目标瞄准HBM4的替代方案，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line
，英特相较于HBM，专利以及一个堆叠的技术存储芯片
。预计2030年前后实现商业化。包括MoP
，成本相比HBM4会更低。但是也存在带宽不足的问题。不过尚未进入商业化阶段。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM
 ，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，业界猜测XBM与ZAM密切相关。容量也更大
，前一段时间高通提出了HBC架构 ，不过现在部分产品改用了LPDDR，XBM采用了后段晶体管设计，以便在供应短缺 、开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，采用3D堆叠芯片解决方案。将计算与高速内存带宽结合，以及功率等方面取得平衡。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度
，HBC提供了更快、HBC堆栈底部为近内存加速器单元，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，

根据英特尔的描述，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈
。价格、

从目标定位、HBM一直是AI加速器的标准配置，过去几年里 ，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 
。

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，

虽然LPDDR更高效  、每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，